Qo'shma Shtatlar chip isitishini bostirish uchun yuqori issiqlik o'tkazuvchanligiga ega yarimo'tkazgichli materiallarni ishlab chiqadi.
Chipdagi tranzistorlar sonining ko'payishi bilan kompyuterning hisoblash ko'rsatkichlari yaxshilanishda davom etmoqda, ammo yuqori zichlik ham ko'plab issiq nuqtalarni keltirib chiqaradi.
Tegishli issiqlik boshqaruvi texnologiyasi bo'lmasa, protsessorning ishlash tezligini sekinlashtirish va ishonchliligini pasaytirish bilan bir qatorda, haddan tashqari qizib ketishning oldini olish va qo'shimcha energiya talab qilish sabablari ham mavjud, bu esa energiya samarasizligi muammolarini keltirib chiqaradi.Ushbu muammoni hal qilish uchun Los-Anjelesdagi Kaliforniya universiteti 2018 yilda juda yuqori issiqlik o'tkazuvchanligiga ega bo'lgan yangi yarimo'tkazgich materialini ishlab chiqdi, u nuqsonsiz bor arsenid va bor fosfiddan iborat bo'lib, u mavjud issiqlikni tarqatuvchi materiallarga o'xshaydi. olmos va kremniy karbid.nisbati, issiqlik o'tkazuvchanligi 3 barobardan ortiq.
2021-yil iyun oyida Los-Anjelesdagi Kaliforniya universiteti chiplarning issiqlik hosil bo‘lishini muvaffaqiyatli bostirish uchun yuqori quvvatli kompyuter chiplari bilan birlashtirish uchun yangi yarimo‘tkazgich materiallardan foydalangan va shu bilan kompyuter ish faoliyatini yaxshilagan.Tadqiqot guruhi issiqlik tarqalish effektini yaxshilash uchun issiqlik qabul qiluvchi va chipning kombinatsiyasi sifatida chip va issiqlik qabul qiluvchi orasiga bor arsenidli yarim o'tkazgichni kiritdi va haqiqiy qurilmaning issiqlik boshqaruvi ishlashi bo'yicha tadqiqotlar olib bordi.
Bor arsenid substratini keng energiya bo'shlig'i galyum nitridi yarimo'tkazgichga bog'lagandan so'ng, galyum nitridi / bor arsenid interfeysining issiqlik o'tkazuvchanligi 250 MVt / m2K gacha bo'lganligi va interfeysning issiqlik qarshiligi juda kichik darajaga yetganligi tasdiqlandi.Bor arsenidi substrati alyuminiy galyum nitridi / galliy nitrididan tashkil topgan ilg'or yuqori elektron harakatchanlik tranzistor chipi bilan birlashtiriladi va issiqlik tarqalish effekti olmos yoki silikon karbiddan sezilarli darajada yaxshiroq ekanligi tasdiqlanadi.
Tadqiqot guruhi chipni maksimal quvvatda ishlatdi va issiq nuqtani xona haroratidan eng yuqori haroratgacha o'lchadi.Tajriba natijalari shuni ko'rsatadiki, olmosli issiqlik qabul qiluvchining harorati 137 ° C, silikon karbidli issiqlik qabul qiluvchisi 167 ° C, bor arsenidli issiqlik qabul qiluvchisi esa atigi 87 ° S.Ushbu interfeysning ajoyib issiqlik o'tkazuvchanligi bor arsenidining noyob fononik tarmoqli tuzilishi va interfeysning integratsiyasidan kelib chiqadi.Bor arsenid moddasi nafaqat yuqori issiqlik o'tkazuvchanligiga ega, balki kichik interfeys termal qarshilikka ham ega.
Qurilmaning yuqori ish kuchiga erishish uchun uni issiqlik qabul qiluvchi sifatida ishlatish mumkin.Kelajakda uzoq masofali, yuqori quvvatli simsiz aloqada foydalanish kutilmoqda.U yuqori chastotali elektr energiyasi yoki elektron qadoqlash sohasida qo'llanilishi mumkin.
Yuborilgan vaqt: 2022-yil 8-avgust