Grafenga o'xshab, MXenes titanium, alyuminiy va uglerod atomlari qatlamlaridan tashkil topgan metall karbidli ikki o'lchovli material bo'lib, ularning har biri o'zining barqaror tuzilishiga ega va qatlamlar orasida osongina harakatlanishi mumkin.2021-yil mart oyida Missuri shtat fan va texnologiya universiteti va Argonna milliy laboratoriyasi MXenes materiallari boʻyicha tadqiqot oʻtkazdi va bu materialning ekstremal muhitda aşınmaya qarshi va moylash xususiyatlari anʼanaviy yogʻga asoslangan moylash materiallariga qaraganda yaxshiroq ekanligini aniqladi. "Super Lubricant" bo'lajak zondlarning eskirishini kamaytirish uchun Perseverance.
Tadqiqotchilar kosmik muhitni simulyatsiya qildilar va materialning ishqalanish sinovlari MXene interfeysining po'lat shar va "o'ta yog'langan holatda" hosil bo'lgan silika bilan qoplangan disk o'rtasidagi ishqalanish koeffitsienti 0,0067 dan 0,0017 gacha past ekanligini aniqladi.MXene-ga grafen qo'shilganda yaxshi natijalarga erishildi.Grafen qo'shilishi ishqalanishni 37,3% ga kamaytirishi va MXene super moylash xususiyatlariga ta'sir qilmasdan eskirishni 2 barobar kamaytirishi mumkin.MXenes materiallari yuqori haroratli muhitlarga yaxshi moslashgan bo'lib, ekstremal muhitda kelajakda moylash materiallaridan foydalanish uchun yangi eshiklarni ochadi.
Qo'shma Shtatlarda birinchi 2nm texnologik chipni ishlab chiqish jarayoni e'lon qilindi
Yarimo'tkazgich sanoatida davom etayotgan muammo bir vaqtning o'zida kichikroq, tezroq, kuchliroq va energiyani tejaydigan mikrochiplarni ishlab chiqarishdir.Bugungi kunda qurilmalarni quvvatlaydigan aksariyat kompyuter chiplari 10 yoki 7 nanometrli texnologik texnologiyadan foydalanadi, ba'zi ishlab chiqaruvchilar esa 5 nanometrli chiplarni ishlab chiqaradi.
2021-yil may oyida AQShning IBM korporatsiyasi dunyodagi birinchi 2 nanometrli texnologik chipni ishlab chiqish jarayonini e'lon qildi.Chip tranzistori minimal o'lchamni aniqlash uchun eng ilg'or ekstremal ultrabinafsha litografiya texnologiyasidan foydalangan holda uch qatlamli nanometrli eshikni (GAA) dizaynini qabul qiladi, tranzistor eshigi uzunligi 12 nanometr, integratsiya zichligi kvadrat millimetr uchun 333 millionga etadi, va 50 milliardni birlashtirish mumkin.
Tranzistorlar tirnoq o'lchamidagi maydonga o'rnatilgan.7nm chip bilan solishtirganda, 2nm jarayon chipi ish faoliyatini 45% ga yaxshilashi, energiya sarfini 75% ga kamaytirishi va mobil telefonlarning batareya quvvatini to'rt barobarga uzaytirishi va mobil telefonni to'rt kun davomida uzluksiz ishlatishi mumkin. faqat bitta zaryad bilan.
Bundan tashqari, yangi texnologik chip noutbuk kompyuterlarining ish faoliyatini sezilarli darajada yaxshilashi mumkin, jumladan, noutbuklarning ilovalarni qayta ishlash quvvatini va Internetga kirish tezligini oshirish.O'z-o'zidan boshqariladigan avtomobillarda 2 nm texnologik chiplar ob'ektni aniqlash qobiliyatini yaxshilashi va javob vaqtini qisqartirishi mumkin, bu yarimo'tkazgich maydonining rivojlanishiga katta yordam beradi va Mur qonuni afsonasini davom ettiradi.IBM 2027 yilda 2 nanometrli texnologik chiplarni ommaviy ishlab chiqarishni rejalashtirmoqda.
Yuborilgan vaqt: 2022 yil 01-avgust